MRAM: Samsung prepara un nuevo tipo de memoria RAM para dispositivos móviles

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Samsung se ha asociado con IBM para traernos una pequeña revolución en el almacenamiento de datos, en esta ocasión ofreciendo un nuevo tipo de memoria RAM no volátil.

Hoy en día, existen tres formas principales de almacenamiento: unidades de disco duro (HDD), memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) , y memoria flash. MRAM llega para competir y poder sustituir a la DRAM utilizada actualmente en millones de dispositivos.

MRAM, adiós a la DRAMMRAM

Este nuevo tipo de memoria llega con el objetivo de mejorar la autonomía y rendimiento ofrecido en este tipo de memorias de almacenamiento de datos. La memoria DRAM (actualmente en versión LPDDR4) tiene un gran inconveniente, es volátil, lo que significa que al cortar la carga eléctrica todos los datos almacenados en ella se borran. La memoria RAM actual ofrece una gran velocidad de procesamiento, pero al apagar el dispositivo, todos los datos desaparecen: esto en una memoria no volátil como por ejemplo un disco duro (HDD) o un Blu-Ray Disc no ocurre.

La MRAM utiliza un novedoso sistema denominado spin-transfer torque. El espín de electrones aplica una corriente sobre el material magnético leyendo y escribiendo los datos en función de los cambios en el valor de la resistencia. Esta memoria emplea campos magnéticos para el procesamiento de la memoria y almacena los 0 y 1 en los spin de los electrones contenidos en ella. Esto permitiría que los datos queden almacenados de forma permanente en los spin, incluso cuando el dispositivo esté totalmente apagado.

Más rápidas y eficientesMRAM

Las ventajas de la MRAM no acaban con el hecho de no perder los datos al cortar la corriente eléctrica, sino que también esto influye en la eficiencia del chip. Al no tener que depender de una corriente continua para almacenar los datos, el consumo energético desciende notablemente.

Otras ventajas respecto a las memorias NAND actuales, es que son hasta 100.000 veces más rápidas, además de tener un tamaño más pequeño. Asimismo, desde Samsung afirman que el proceso de fabricación de la MRAM es también más económico.

LSI Business Department tendría ya diseñado un prototipo de un SoC acompañado por un módulo de memoria MRAM en su interior, prototipo que se dejaría ver a finales de mayo.

Samsung ofrecerá todo tipo de detalles el próximo 24 de mayo durante la convención Samsung Foundry Forum. Se espera que este tipo de memoria llegará al mercado a partir de 2018.

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